美光FY26Q1点评：本季度业绩大超预期/指引FY26Q2环比持续高速增长，上修26年Capex指引
FY26Q1：营收136亿美元，同比+57%/环比+21%，毛利率56.8%，环比+11pcts，营收和毛利率超指引上限，DRAM、NAND、HBM、数据中心营收均创新高，美股盘后和夜盘均上涨超8%。
按产品：
DRAM：营收108亿美元，占比79%，同比+69%/环比+20%，出货量略有增长，价格增长20%。1γ节点正在量产，1δ和1ε正在开发，1γ将是2026年的DRAM位元增长主要驱动力。
NAND：营收27亿美元，占比20%，同比+22%/环比+22%，bit出货量增长中高个位数百分比，价格增长mid-teens。本季度数据中心SSD和QLC NAND创历史新高，G9技术将是2026年NAND位元增长的主要驱动力，预计在FY26晚些时候G9将成为公司最大的NAND节点。
按部门：
计算与网络：营收52亿美元，占39%，环比+16%，主要系价格上涨推动；
数据中心：营收24亿美元，占17%，环比+51%，主要系强劲的出货量增长；
移动业务：营收43亿美元，占31%，环比+13%，主要系价格推动，部分被较低的出货量抵消；
嵌入式：营收17亿美元，占13%，环比+20%，出货量和价格均有上涨。
HBM：已经完成了2025和2026年的供应价格和销售协议，预计HBM TAM将以40%的CAGR增长，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元，1000亿美元的TAM预测比之前的预期提前两年，2028年的HBM TAM甚至超过2024年整个存储行业的市场规模。公司HBM4预计在FY26Q2出货。
未来展望：
FY26Q2：营收187亿美元（±4亿美元），环比+37.5%，毛利率68%，环比+11.2pcts。
市场展望：可预见的未来行业总供应量将大大低于需求，HBM消耗的晶圆是DDR5的3倍，未来HBM的消耗比例还会增加，需要额外的洁净室空间来解决这一问题，目前洁净室的交货时间在各地都在演唱，预计DRAM和NAND的供应紧张局面将持续到2026年及以后。
出货量：2026年DRAM和NAND bit出货量增长约20%。
Capex：2026年增加到2000亿美元左右，高于此前180亿美元的指引，主要用于支持HBM供应和2026年的1γ DRAM供应。爱达荷州的第一座晶圆厂预计2027年中投产，早于此前27H2的预期，第二座晶圆厂将在2026年建设、2028年底投产，纽约工厂计划2026年初动工、2030年及之后投产，还在日本广岛增加洁净室空间，新加坡NAND扩产按计划进行，中国台湾的HBM先进封装正按预期进行。
存储行业深度报告：
美光FY25Q4跟踪报告：
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
