美光1QFY26 takeaway
美光1QFY26 营收 136.43 亿美元,YoY/QoQ +57%/+21%;Non-GAAP EPS 为4.78 美元,YoY/QoQ +167%/+57.8%。Non-GAAP毛利率达 56.8%,环比+11ppt创历史新高,主要受 AI 驱动的高性能内存需求强劲、行业供应紧张及公司技术领先推动。
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美光1QFY26 takeaway
美光1QFY26 营收 136.43 亿美元,YoY/QoQ +57%/+21%;Non-GAAP EPS 为4.78 美元,YoY/QoQ +167%/+57.8%。Non-GAAP毛利率达 56.8%,环比+11ppt创历史新高,主要受 AI 驱动的高性能内存需求强劲、行业供应紧张及公司技术领先推动。
分技术来看:
1. DRAM:108.12 亿美元,占总收入79%,YoY/QoQ +69%/+20%,出货量小幅增长,ASP 提升约20%,由高端产品需求强劲与供应紧张驱动;
2. NAND:27.43 亿美元,占总收入的20%,YoY/QoQ +22%/+22%,出货量中高个位数增长,ASP 提升mid-teens,受数据中心高容量 SSD 与 QLC 需求拉动。
分业务板块来看:
1. 云存储业务:52.84 亿美元,占总收入39%,YoY/QoQ +100%/+16%,收入增长创纪录,由位元出货量增长与价格上涨共同推动;
2. 核心数据中心业务:23.79 亿美,占总收入17%,YoY/QoQ +4%/+51%;
3. 移动与客户端业务:42.55 亿美元,占总收入31%,YoY/QoQ +63%/+13%;
4. 汽车与嵌入式业务:17.20 亿美元,占总收入13%,YoY/QoQ +49%/+20%。
业务亮点
1. DRAM 技术:1γ节点良率提升顺利,将成为 2026 年下半年位元增长主力;1δ与 1ε节点已在研发中。
2. NAND 技术:G9 节点良率快速提升,QLC 占比创历史新高,预计成为 2026 年最大 NAND 节点。
3. HBM :HBM4 将于 2026 年二季度开始量产爬坡,良率提升速度快于前代;2026 年 HBM 产能已全部预订,包含量价。
4. 产能扩张:
·2026 财年资本支出上调至约 200 亿美元(前值180亿美元)重点投入 HBM 与 1γ 产能;
·爱达荷州首座工厂预计 2027 年中投产,第二座工厂 2026 年开建;
·纽约州工厂预计 2026 年初动工,2030 年贡献产能;
·日本广岛工厂新增洁净室空间,支持下一代 DRAM 技术;
·新加坡 HBM 先进封装厂预计 2027 年贡献产能;
·印度封测厂已启动试产,2026 年上量。
5. AI 数据中心需求强劲:2025 年服务器出货量预计实现high teens增长,2026 年持续强劲;HBM 市场规模预计 2028 年达 1000 亿美元,较此前预期提前两年,未来三年40%CAGR。
6. 客户:和关键客户正在沟通多年协议,含一些特定条款,包含DRAM和NAND。多年协议客户不仅有数据中心客户,包含其他市场。
7. 全行业供应紧张:DRAM 与 NAND 行业位元需求增速上调,2025 年 DRAM 位元需求增长预计低 20%,NAND 为high teens。2026 年存储受供给限制,DRAM和NAND出货量约20%,供应短缺态势预计持续至 2026 年后。
展望 2QFY26,公司预计营收187亿美元 ± 4亿美元,毛利率 68% ± 1%,Non-GAAP EPS 8.42 美元 ± 0.20 美元。