美光FY26Q1点评:本季度业绩大超预期/指引FY26Q2环比持续高速增长,上修26年Capex指引
FY26Q1:营收136亿美元,同比+57%/环比+21%,毛利率56.8%,环比+11pcts,营收和毛利率超指引上限,DRAM、NAND、HBM、数据中心营收均创新高,美股盘后和夜盘均上涨超8%。
按产品:
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美光FY26Q1点评:本季度业绩大超预期/指引FY26Q2环比持续高速增长,上修26年Capex指引
FY26Q1:营收136亿美元,同比+57%/环比+21%,毛利率56.8%,环比+11pcts,营收和毛利率超指引上限,DRAM、NAND、HBM、数据中心营收均创新高,美股盘后和夜盘均上涨超8%。
按产品:
DRAM:营收108亿美元,占比79%,同比+69%/环比+20%,出货量略有增长,价格增长20%。1γ节点正在量产,1δ和1ε正在开发,1γ将是2026年的DRAM位元增长主要驱动力。
NAND:营收27亿美元,占比20%,同比+22%/环比+22%,bit出货量增长中高个位数百分比,价格增长mid-teens。本季度数据中心SSD和QLC NAND创历史新高,G9技术将是2026年NAND位元增长的主要驱动力,预计在FY26晚些时候G9将成为公司最大的NAND节点。
按部门:
计算与网络:营收52亿美元,占39%,环比+16%,主要系价格上涨推动;
数据中心:营收24亿美元,占17%,环比+51%,主要系强劲的出货量增长;
移动业务:营收43亿美元,占31%,环比+13%,主要系价格推动,部分被较低的出货量抵消;
嵌入式:营收17亿美元,占13%,环比+20%,出货量和价格均有上涨。
HBM:已经完成了2025和2026年的供应价格和销售协议,预计HBM TAM将以40%的CAGR增长,从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元,1000亿美元的TAM预测比之前的预期提前两年,2028年的HBM TAM甚至超过2024年整个存储行业的市场规模。公司HBM4预计在FY26Q2出货。
未来展望:
FY26Q2:营收187亿美元(±4亿美元),环比+37.5%,毛利率68%,环比+11.2pcts。
市场展望:可预见的未来行业总供应量将大大低于需求,HBM消耗的晶圆是DDR5的3倍,未来HBM的消耗比例还会增加,需要额外的洁净室空间来解决这一问题,目前洁净室的交货时间在各地都在演唱,预计DRAM和NAND的供应紧张局面将持续到2026年及以后。
出货量:2026年DRAM和NAND bit出货量增长约20%。
Capex:2026年增加到2000亿美元左右,高于此前180亿美元的指引,主要用于支持HBM供应和2026年的1γ DRAM供应。爱达荷州的第一座晶圆厂预计2027年中投产,早于此前27H2的预期,第二座晶圆厂将在2026年建设、2028年底投产,纽约工厂计划2026年初动工、2030年及之后投产,还在日本广岛增加洁净室空间,新加坡NAND扩产按计划进行,中国台湾的HBM先进封装正按预期进行。
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